三星量产DDR4内存 最高单条容量可达64GB

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三星量产DDR4内存 最高单条容量可达64GB

2014-09-05 21:41:02 次阅读 稿源：腾讯数码 条评论
Samsung 三星
韩国三星电子今天正式宣布，目前已经开始正式量产全球首款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，单条容量高达64GB。该DDR4内存采用三星自家先进的2xnm工艺，所采用的TSV技术，是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式，可将多个芯片堆叠起来，提升容量和性能。
三星量产DDR4内存 最高单条容量可达64GB
三星在2010年的4xnm 8GB内存上就首次使用了TSV，2011年又完成了3xnm 32GB，现在是第一次用于DDR4。内存芯片目前的容量水平已经趋于平稳，而内存模块已经可以直接插入主板之上，所以三星创新性的3DTSV封装技术则实现了多层堆叠的裸片之间的垂直互连。
未来，DDR4将逐渐开始取代现有的DDR3内存，并且从下个季度开始首先应用在服务器和游戏PC上。DDR4内存将节省超过50%的电能，并且在内存带宽上也要节省超过35%。英特尔同样在9月初计划推出兼容与DDR4内存的Grantley芯片，并且首批产品将应用到联想和戴尔的服务器产品中。
“使用数据中心服务的应用程序将从三星新的内存产品中获得巨大的收益，”Insight 64的首席分析师Nathan Brookwood表示。而这其中包括了数据库和分析应用服务，涵盖了那些来自Oracle和SAP的业务，更大容量的数据被保存在内存中，将有助于提高应用程序的性能。
“提高DRAM芯片产品的密度越来越难，因此选择直接叠加的方式是一个很好的选择，这样会使现有的DRAM芯片技术在一个模块中性能提升两倍以上。”Brookwood表示。
继去年首次量产3DV-NAND闪存之后，三星3DTSV内存模块标志着存储技术史上的一个新的里程碑。之前3DV-NAND技术实现了单颗裸片上各个存储单元垂直堆叠结构，如今3D TSV封装技术则实现了多层堆叠的裸片之间的垂直互连。
三星方面表示，未来采用3D TSV技术将DDR4裸片堆叠4层以上，制造出密度更高的内存模块。采用TSV封装技术的64GB内存模块速度最高提升一倍，而能耗也降低约一半。随着服务器市场正加速从DDR3向DDR4过渡，此举将加快高端内存市场的扩大。
由此，自从基于3D TSV技术的40纳米8GB DRAM RDIMM和30纳米32GB DRAM RDIMM产品研发以来，三星一直在不断改善3D TSV技术，特别专为TSV封装开始运行了一套新的制造系统，用来量产新型服务器用内存模块。